تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
ترانزستورات الأغشية الرقيقة ثنائية الطبقة المصنوعة من Cu2O/SnO عند درجات حرارة منخفضة
P‑Type Cu2O/SnO Bilayer Thin Film Transistors Processed at Low
 
الموضوع : هندسة المواد 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : تم تصنيع ترانزستورات Cu2O/SnO الرقيقة ثنائية الطبقة من النوع الموجب (TFTs) مع أداء قابل للضبط في درجة حرارة الغرفة. باستخدام فيلم Cu2O كطبقة حامية للسيطرة على التركيب الكيميائي لفيلم SnO. وأظهرت النتائج أن الترانزستورالذي سمكه نانومتر 15/10 يظهرأفضل أداء باستخدام C°170 كحد أقصى لدرجة الحرارة. 
ردمد : 1944-8244 
اسم الدورية : ACS Applied Materials & Interfaces 
المجلد : 5 
العدد : 19 
سنة النشر : 1434 هـ
2013 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Monday, November 4, 2013 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
هالة عبد العزيز الجوهريAljawhari, Hala Abdulazizباحث رئيسيدكتوراهhaljawhari@kau.edu.sa
ألفونسو كارفيو فرسكاسFrescas, Alfonso Caraveoباحثدكتوراهalfanso.caraveo@kaust.edu.sa

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 36230.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث