تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مؤتمر 
عنوان الوثيقة :
تأثير مواد العزل على أداء ترانزستور أغشية Cu2O الرقيقة ذات القطبية الموجبة المصنعة في درجة حرارة الغرفة
Effect of Gate Dielectrics on the Performance of P-Type Cu2O TFTs Processed at Room Temperature
 
الموضوع : ترانزستور اغشية رقيقة الموجب 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : تم ترسيب طور واحد من أغشية Cu2O ذات القطبية الموجبة في درجة حرارة الغرفة تلى ذلك عملية تسخين في 200درجة مئوية. استخدمت مثل هذه الأفلام لتصنيع ترانزستورات شفافة موجبة القطبية (TFTs). تم دراسة تأثير استخدام مادة ذات معامل عزل كهربي عالي مثل SrTiO3 (STO) على أداء Cu2O TFT. تم مقارنة النتائج وفق الخط الأساسي لدينا والذي يستخدم 220 نانومتر من مادة التيتانيوم وأكسيد الألومنيوم (ATO) العازلة الموضوعة على شريحة الزجاج المطلي مع 200 نانومتر الإنديوم أكسيد القصدير. وجدنا أنه باستخدام طبقة سمكها 150 نانومتر من STO فإن سلوك Cu2O TFTs تحسن حيث أظهر حركية مقدارها 1S-1-cm2.V 0.541، ونسبة تشغيل / إيقاف حوالي 44، عتبة الجهد يعادل - 0.62 V وتأرجح دون عتبة بمقدار V/dec 1.64 وقد تم الحصول على هذه القيم عند جهد تشغيل منخفض قيمته V 2-. 
اسم المؤتمر : ICMSET 2013 
الفترة : من : 12-1-1435 هـ - إلى : 13-1-1435 هـ
من : 16-11-2013 م - إلى : 17-11-2013 م 
سنة النشر : 1435 هـ
2014 م 
عدد الصفحات : 5 
نوع المقالة : مقالة علمية 
مكان الانعقاد : لندن 
الجهة المنظمة : SCIEI 
تاريخ الاضافة على الموقع : Saturday, December 7, 2013 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
هالة عبد العزيز الجوهريAljawhari, Hala Abdulazizباحث رئيسيدكتوراهhaljawhari@kau.edu.sa
ألفونسو كارفيو فرسكاسFrescas, Alfonso Caraveoباحث مشاركدكتوراهalfanso.caraveo@kaust.edu.sa

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 36402.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث